光纖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展
時(shí)間:2016-01-14 16:26:57 來(lái)源：
所有單模光纖系列的標(biāo)準(zhǔn)中，均刪除了跳線截止波長(zhǎng)的相關(guān)內(nèi)容。
1.1.4itu-tg.657
2009版的itu-tg.657較上一版本變化較大，主要表現(xiàn)在對(duì)光纖分類上，由最早的g.657a和g.657b改為了g.657a1、a2、b2、b34個(gè)子類。
2010年6月，itu還發(fā)布了g.657建議書的增補(bǔ)文件，對(duì)資料性附錄一：“小彎曲半徑條件下光纖的壽命預(yù)測(cè)”進(jìn)行了修訂。
另外，在2011年2月最近一次的itu-t會(huì)議上，對(duì)g.657建議書的進(jìn)一步發(fā)展進(jìn)行了廣泛的討論。其中形成一致意見(jiàn)的是：在下一版本的itu-tg.657建議書中，將b2和b3類光纖的mfd范圍變?yōu)榕ca1和a2一致，即刪除下限為6.3μm的小模場(chǎng)光纖類型。其主要原因在于小模場(chǎng)的g.657光纖在實(shí)際應(yīng)用中與g.652光纖的接續(xù)損耗較大，且現(xiàn)在市場(chǎng)上各廠商的主流產(chǎn)品均為模場(chǎng)直徑與g.652光纖接近，而非小模場(chǎng)的光纖。此意見(jiàn)將在下一版本的修訂中繼續(xù)進(jìn)行討論，現(xiàn)階段官方發(fā)布的正式建議書中仍維持了原分類原則。
1.1itu-t光纖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展
1.1.1itu-tg.650.1
itu-tg.650.1于2010年進(jìn)行了修訂，其中主要的更新為以下幾點(diǎn)。
a)itu-tg.650.1-2009第5.3節(jié)，刪除了跳線截止波長(zhǎng)的測(cè)試方法。由于實(shí)際意義較小，ADSS光纜單模光纖規(guī)范中均刪除了跳線截止波長(zhǎng)的定義和指標(biāo)要求。
b)itu-tg.650.1-2009第5.3.1.3節(jié)，截止波長(zhǎng)的測(cè)試步驟，對(duì)打圈參考法和多模參考法的使用進(jìn)一步給予了詳細(xì)解釋。對(duì)于打圈參考法，所打圈的半徑應(yīng)該在測(cè)試之前予以確定。圈的半徑應(yīng)足夠小，以濾除次高階模式，卻不應(yīng)太小，以至于引起長(zhǎng)波長(zhǎng)處的宏彎損耗。對(duì)于g.652~g.656光纖來(lái)說(shuō)，典型的打圈半徑為10~30mm，但對(duì)于某些g.657光纖，圈的半徑可能要求更小。對(duì)于一些g.657光纖，由于其優(yōu)異的抗彎曲特性，使用打圈參考法測(cè)試截止波長(zhǎng)可能并不適合，這種情況下，推薦使用多模參考法進(jìn)行測(cè)試。
c)itu-tg.650.1-2009第5.6節(jié)，增加了宏彎損耗的測(cè)試方法。
1.1.2itu-tg.650.3
itu-tg.650.3于2011年以增補(bǔ)文件的形式新增了資料性附錄三：“在已安裝的鏈路上區(qū)分宏彎點(diǎn)和熔接點(diǎn)的方法”，其主要原理是依據(jù)測(cè)試2個(gè)波長(zhǎng)處的雙向otdr曲線，對(duì)于某一個(gè)損耗事件點(diǎn)，根據(jù)2個(gè)波長(zhǎng)處實(shí)測(cè)損耗值，計(jì)算宏彎因子，再通過(guò)宏彎因子判斷該處是否為異常宏彎點(diǎn)。由于g.657光纖的彎曲損耗一般很小，建議書中注明了此方法一般只適用于g.652光纖。同時(shí)，在不清楚鏈路中使用的光纖類型時(shí)，此方法也不適用。
1.1.3itu-tg.652~g.656
g.652~g.656系列標(biāo)準(zhǔn)均在2009—2010年進(jìn)行了更新，但實(shí)際的技術(shù)指標(biāo)并沒(méi)有大的變化。
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